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STC2SD882_TO252 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STC2SD882_TO252
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内容描述: NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 88 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
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STC
2SD882
NPN外延硅晶体管
中hFE2分类
范围
A
100-200
B
200-300
典型参数性能
图1静态特性
150
安全图2降额曲线
经营领域
12
图3功率降额
-Ic ,集电极电流( A)
1.6
1.2
-IB=6mA
-IB=5mA
100
功耗( W)
150
200
- 集成电路降额( % )
-IB=9mA
-IB=8MA
-IB=7mA
S/
b
8
0.8
LIM
ITE
d
D
pa
si
is
-IB=4mA
-IB=3mA
0.4
50
4
n
TIO
LIM
-IB=2mA
-IB=1mA
0
d
ITE
0
0
4
8
12
16
20
0
-50
0
50
100
-50
0
50
100
150
200
-collector发射极电压( V)
TC,外壳温度( ° C)
TC,外壳温度( ° C)
图4集电极输出
电容
3
10
3
10
图5电流GAIN-
带宽积
1
10
图6安全工作区
集成电路(最大) ,脉冲
10
mS
1m
S
0.
1m
S
输出电容(pF )
F
T
(兆赫) ,目前GAIN-
带宽积
2
10
I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=5V
2
10
-Ic ,集电极电流( A)
集成电路(最大) ,直流
10
0
I
B
=8mA
1
10
1
10
-1
10
0
10
10
0
-1
10
-2
10
-3
10
0
10
-2
10
-1
10
10
0
1
10
-2
10
10
0
1
10
2
10
-collector基极电压( V)
IC ,集电极电流( A)
集电极 - 发射极电压
图7直流电流增益
3
10
4
10
图8饱和电压
V
CE
=-2V
-saturation电压(毫伏)
直流电流增益,H
FE
3
10
V
BE
(SAT)
2
10
2
10
1
10
V
CE
(SAT)
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
-Ic ,集电极电流(mA )
-Ic ,集电极电流(mA )
2