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    DN3545N3-G 参数 Datasheet PDF下载

    DN3545N3-G图片预览
    型号： DN3545N3-G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道耗尽型垂直DMOS FET [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关输入元件PC
    文件页数/大小： 6 页 / 485 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号DN3545N3-G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DN3545N3-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DN3545N3-G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DN3545N3-G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DN3545N3-G的Datasheet PDF文件第6页  
    DN3545
    热特性
    包
    T0-92
    TO-243AA
    注意事项：
    1. I
    D
    （续）由最大限制额定牛逼
    j
    .
    2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显着的P
    D
    增加可能在陶瓷基板。
    I
    D
    （连续）
    1
    136mA
    200mA
    I
    D
    （脉冲的）
    550mA
    550mA
    功耗
    @T
    A
    = 25
    O
    C
    0.74W
    1.6W
    2
    O
    θ
    jc
    C / W
    O
    θ
    ja
    C / W
    I
    DR1
    136mA
    200mA
    I
    DRM
    550mA
    550mA
    125
    15
    170
    78
    2
    电气特性
    （ @ 25°C ，除非另有规定编）
    O
    符号
    BV
    DSX
    V
    GS （ OFF ）
    ΔV
    GS （ OFF ）
    I
    GSS
    I
    D（关闭）
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    ΔR
    DS （ ON）
    G
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    t
    rr
    参数
    漏极至源极击穿电压
    栅 - 源电压OFF
    改变V
    GS （ OFF ）
    随温度
    门体漏电流
    漏极至源极漏电流
    饱和漏极至源极电流
    静态漏 - 源
    导通状态电阻
    变化在研发
    DS （ ON）
    随温度
    转发Transductance
    输入电容
    共源输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    二极管的正向压降
    反向恢复时间
    民
    450
    -1.5
    -
    -
    -
    -
    200
    -
    -
    150
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    800
    最大
    -
    -3.5
    4.5
    100
    1.0
    1.0
    -
    20
    1.1
    -
    360
    40
    15
    20
    30
    30
    40
    1.8
    -
    单位
    V
    V
    条件
    V
    GS
    = -5V ，我
    D
    = 100µA
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 10µA
    V
    GS
    = ± 20V, V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    = -5V, V
    DS
    =最大额定值
    V
    GS
    = -5V, V
    DS
    = 0.8最高评级
    T
    A
    = 125°C
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 15V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 150毫安
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 150毫安
    I
    D
    = 100mA时V
    DS
    = 10V
    V
    GS
    = -5V, V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz的
    毫伏/
    O
    （C V）
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 10µA
    nA
    µA
    mA
    mA
    Ω
    %/
    O
    C
    m
    Ω
    pF
    ns
    V
    DD
    = 25V ，我
    D
    = 150毫安，
    R
    根
    = 25Ω,V
    GS
    = 0V至-10V
    V
    ns
    V
    GS
    = -5V ，我
    SD
    = 150毫安
    V
    GS
    = -5V ，我
    SD
    = 150毫安
    V
    DD
    开关波形和测试电路
    0V
    90%
    输入
    -10V
    R
    L
    脉冲
    发电机
    R
    根
    产量
    10%
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    F
    t
    D（上）
    V
    DD
    D.U.T.
    10%
    10%
    输入
    产量
    0V
    90%
    90%
    2

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