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DN3545N3-G 参数 Datasheet PDF下载

DN3545N3-G图片预览
型号: DN3545N3-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS FET [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关输入元件PC
文件页数/大小: 6 页 / 485 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN3545
典型性能曲线(续)
BV
DSS
随温度的变化
1.2
ID = 100μA
VGS = -5V
40
50
导通电阻与漏极电流
BVDSS (归)
R
DS ( ON)
(欧姆)
1.1
30
1.0
20
0.9
10
V
GS
= 0V
0.8
-50
0
0
50
100
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
TJ (
o
C)
传输特性
1.0
I
D
(安培)
V
GS ( OFF )
和R
DS ( ON)
W /温度
1.5
2.4
V
DS
= 10V
TA = -55
o
C
V
GS ( OFF )
(归一化)
0.6
TA = 25
o
C
1.1
V
GS ( OFF )
@ 10µA
1.6
0.4
TA = 125
o
C
0.9
1.2
0.2
0.7
R
DS ( ON)
@ 0V , 150毫安
0.8
0
-3
-2
-1
0
1
2
0.5
-50
0
50
100
0.4
150
V
GS
(伏)
电容与漏源电压
300
T
J
(
o
C)
栅极驱动器的动态特性
3
V
GS = -5V
2
250
I
D = 150毫安
1
C(皮法)
200
V
DS = 30V
V
GS
(伏)
0
-1
-2
-3
150
C
国际空间站
100
50
C
RSS
0
0
10
20
30
C
OSS
40
-4
-5
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
(伏)
Q
G
( nanocoulombs )
4
R
DS ( ON)
(归一化)
0.8
1.3
2.0
I
D
(安培)