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MD1811K6-G 参数 Datasheet PDF下载

MD1811K6-G图片预览
型号: MD1811K6-G
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内容描述: 高速四通道MOSFET驱动器 [High Speed Quad MOSFET Driver]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 7 页 / 634 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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MD1811
时序图和V
TH
/ V
OE
曲线
1.8V
V
TH
VS V
OE
V
TH
V
OE/2
2.0
IN
0V
50%
5 0%
1.5
t
PLH
12V
90 %
10%
t
PHL
9 0%
1.0
0.6V
0.5
10%
OUT
0V
0
t
r
t
f
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
OE
应用信息
为MD1811的正确操作,低电感的旁路
电容器应使用不同的电源引脚。该
GND端子应连接到所述逻辑接地。在INA ,
INB INC , IND和OE引脚应连接到逻辑
源与GND到V摆动
LL
其中V
LL
是1.2至5.0伏。
良好的跟踪行为应遵循相应的
期望的工作速度。的MD1811的内部电路
能够运行高达100MHz ,具有初级速度
限制是负载电容的负载影响。
因为这个速度和高瞬态电流的那
结果和容性负载,旁路电容应
尽可能靠近芯片管脚越好。除非负载
具体来说,需要双极性驱动的V
SS
和V
L
引脚应
有直接低电感馈通连接到
接地平面。如果这些电压不为零,则他们需要
旁路电容,其方式类似于所述正电源
耗材。电源连接V
DD
应该有一种陶瓷
旁路电容器到地平面与短引线和
去耦元件,以防止谐振,在功率
导致。
Ⅴ的电压
H
和V
L
决定的输出信号电平。
这两个引脚可以借鉴最多的快速瞬变电流
2A ,所以他们应该用适当的旁路提供
电容旁边的芯片管脚。陶瓷电容器
高达1.0μF可能是合适的,有一系列铁氧体磁珠
为了防止共振的电源引线来
电容器。要特别注意尽量减少跟踪
长度,电流环路面积和使用SUF网络cient迹宽度
降低电感。表面贴装元件高度
推荐使用。由于这个驱动器的输出阻抗为
非常低的,在某些情况下,可能希望添加一个小
串联电阻串联在输出信号以获得
更好的波形转换的负载端。这必然
当然降低输出电压的变化率,在端子
的容性负载。
特别要注意的寄生耦合最小化
从输出到输入信号端子。寄生
反馈可能引起振荡或杂散的波形
形状上的信号转变的边缘。由于输入
与信号降至1.2V哪怕是很小的耦合操作
电压可能会造成问题。使用固体地平面
好电源和信号布局的做法,将阻止该
问题。要小心,循环接地回路电流
从电容性负载不能用普通电感反应
以使在所述输入逻辑电路的噪声电压。
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