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MD1811K6-G 参数 Datasheet PDF下载

MD1811K6-G图片预览
型号: MD1811K6-G
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内容描述: 高速四通道MOSFET驱动器 [High Speed Quad MOSFET Driver]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 7 页 / 634 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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MD1811
引脚说明
针#
1
5
6
15
2
4
3
7
功能
INB
INC。
IND
INA
V
L
GND
V
SS
电源电压的N沟道输出级。
逻辑输入接地参考。
低侧的电源电压。 V
SS
也连接到IC基板。它需要
连接到电源电压和电的连接首先最负电位。
输出驱动器。从V秋千
H
到V
L
。用于驱动一个externel的门N-
通过串联电容器沟道MOSFET。当OE是低电平时,输出被禁用。
OUTD会摆动到V
L
关闭外部N沟道MOSFET 。
输出驱动器。从V秋千
H
到V
L
。用于驱动一个externel P沟道的栅极
通过串联电容器的MOSFET 。当OE是低电平时,输出被禁用。 OUTC会
摆动到V
H
关闭外部P沟道MOSFET 。
输出驱动器。从V秋千
H
到V
L
。用于驱动一个externel的门N-
通过串联电容器沟道MOSFET。当OE是低电平时,输出被禁用。
OUTB将摆动到V
L
关闭外部N沟道MOSFET 。
输出驱动器。从V秋千
H
到V
L
。用于驱动一个externel P沟道的栅极
通过串联电容器的MOSFET 。当OE是低电平时,输出被禁用。 OUTA会
摆动到V
H
关闭外部P沟道MOSFET 。
电源电压的P沟道输出级。
高侧电源电压。
输出使能逻辑输入。当OE为高电平, (Ⅴ
OE
+V
GND
) / 2套过渡门槛
之间的逻辑电平高,低。当OE为低电平时,所有输出为高阻抗。
OE保持低电平,直到IC供电。
该IC基板内部连接到散热片。散热焊盘和V
SS
必须
从外部连接。
逻辑输入。输入逻辑高电平将导致输出摆幅为V
H
。输入逻辑低电平意志
导致摆动到V输出
L
。保留所有逻辑输入为低电平,直到IC供电。
描述
8
OUTD
9
OUTC
12
OUTB
13
10
11
14
16
OUTA
V
H
V
DD
OE
基板
6