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    TN2425TG 参数 Datasheet PDF下载

    TN2425TG图片预览
    型号： TN2425TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低门槛双N沟道增强模式 [Low Threshold Dual N-Channel Enhancement-Mode]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 412 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号TN2425TG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TN2425TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TN2425TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TN2425TG的Datasheet PDF文件第5页  
    TN2425TG
    电气特性
    （每个设备，T = 25° C除非另有规定编）
    J
    符号
    参数
    民
    典型值
    最大
    单位
    条件
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    ΔV
    MATCH
    ΔV
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    漏极至源极击穿电压
    栅极阈值电压
    改变V
    GS （ TH）
    随温度
    V
    GS （ TH）
    随温度的变化
    门体漏电流
    零栅极电压漏极电流
    250
    0.6
    -
    -
    -
    -
    -
    1.5
    1.8
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    115
    30
    10
    -
    -
    -
    5
    10
    25
    5
    -
    300
    -
    2.0
    25
    -5.0
    100
    10
    1.0
    -
    -
    5.0
    3.5
    20
    1.4
    -
    5
    5
    200
    100
    40
    25
    25
    25
    15
    25
    35
    15
    1.8
    -
    V
    V
    mV
    毫伏/
    O
    C
    nA
    µA
    mA
    A
    Ω
    %
    %/
    O
    C
    mmho
    %
    %
    pF
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1mA时，
    T
    A
    = 10
    O
    C - 80
    O
    C
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = ±20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    =最大额定值，V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 0.8最大额定值，
    V
    GS
    = 0V ，T
    A
    = 125
    O
    C
    V
    GS
    = 6.0V, V
    DS
    = 25V
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 25V
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 300毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 400毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 400毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 400毫安
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 400毫安
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 50毫安
    V
    GS
    = 15V ，我
    D
    = 1.50A
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz的
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    R
    MATCH
    ΔR
    DS （ ON）
    G
    FS
    G
    FSMATCH
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    ISSMATCH
    C
    OSSMATCH
    C
    RSSMATCH
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    t
    rr
    通态漏电流
    静态漏 - 源极导通状态
    阻力
    通道到通道ř
    DS （ ON）
    匹配
    变化在研发
    DS （ ON）
    随温度
    正向跨导
    通道槽G
    FS
    匹配
    输入电容
    共源输出电容
    反向传输电容
    通道到通道C
    国际空间站
    匹配
    通道到通道C
    OSS
    匹配
    通道到通道C
    RSS
    匹配
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    二极管的正向压降
    反向恢复时间
    %
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz的
    ns
    V
    DD
    = 25V ，我
    D
    = 500毫安，
    R
    根
    = 25Ω
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 500毫安
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 500毫安
    V
    ns
    注意事项：
    1.全直流参数100％测试25
    O
    C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
    2.所有参数交流采样测试。
    开关波形和测试电路
    10V
    V
    DD
    R
    L
    OUTP
    90%
    输入
    0V
    10%
    t
    （上）
    脉冲
    发电机
    t
    （关闭）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    F
    R
    根
    t
    D（上）
    V
    DD
    10%
    10%
    输入
    D.U.T.
    产量
    0V
    90%
    90%
    2

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