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TP5322K1-G 参数 Datasheet PDF下载

TP5322K1-G图片预览
型号: TP5322K1-G
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 517 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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TP5322
热特性
TO-236AB
TO-243AA
I
D
(连续)
1
-0.12A
-0.26A
I
D
(脉冲的)
-0.70A
-0.90A
功耗
@T
C
= 25
O
C
0.36W
1.6W
2
Θ
jc
(
O
C / W )
200
15
Θ
jc
(
O
C / W )
350
78
2
I
DR1
-0.12A
-0.26A
I
DRM
-0.7A
-0.9A
注意事项:
1. I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
2.安装在FR4板, 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显着的P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
符号
参数
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS ( TH)
ΔV
GS ( TH)
I
GSS
I
D( SS )
I
D(上)
R
DS ( ON)
ΔR
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
-220
-1.0
-
-
-
-
-0.7
-
-
-
-
-
-
-
-0.95
10
8.0
-
-2.4
4.5
-100
-10
-1.0
-
15
12
1.7
-
110
45
20
V
V
毫伏/
O
C
nA
µA
mA
A
Ω
%/
O
C
mmho
pF
V
GS
= 0V时,我
D
= -2.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=最大额定值,V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值,
V
GS
= 0V ,T
A
= 125
O
C
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -200mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -200mA
V
DS
= -25V ,我
D
= -200mA
V
GS
= 0V,
V
DS
= -25V,
F = 1MHz的
V
DD
= -25V,
I
D
= -0.7A,
R
= 25Ω,
V
GS
= 0V时,我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时,我
SD
= -0.5A
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
-
-
-
-
-
300
10
15
20
15
-1.8
-
V
ns
ns
注意事项:
1.全直流参数100%测试25
O
C除非另有说明。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
输入
R
D.U.T.
产量
R
L
10%
t
(上)
t
D(上)
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
V
DD
2