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    VN0106N3 参数 Datasheet PDF下载

    VN0106N3图片预览
    型号： VN0106N3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型垂直DMOS FET [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
    文件页数/大小： 4 页 / 476 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号VN0106N3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VN0106N3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VN0106N3的Datasheet PDF文件第4页  
    VN0104/VN0106
    热特性
    包
    TO-92
    I
    D
    （连续） *
    350mA
    I
    D
    （脉冲的）
    2.0A
    功耗
    @ T
    C
    = 25
    °
    C
    1.0W
    θ
    jc
    °
    C / W
    125
    θ
    ja
    °
    C / W
    170
    I
    DR
    *
    350mA
    I
    DRM
    2.0A
    * I
    D
    （续）由最大限制额定牛逼
    j
    .
    电气特性
    （ 25°C ，除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    参数
    漏 - 源
    击穿电压
    VN0106
    VN0104
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    栅极阈值电压
    改变V
    GS （ TH）
    随温度
    门体漏
    零栅极电压漏极电流
    民
    60
    V
    40
    0.8
    -3.8
    2.4
    -5.5
    100
    1
    100
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    ∆R
    DS （ ON）
    G
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    t
    rr
    通态漏电流
    静态漏 - 源
    导通状态电阻
    变化在研发
    DS （ ON）
    随温度
    正向跨导
    输入电容
    共源输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    二极管的正向压降
    反向恢复时间
    300
    0.5
    2.0
    1.0
    2.5
    3.0
    2.5
    0.70
    450
    55
    20
    5
    3
    5
    6
    5
    1.2
    400
    65
    25
    8
    5
    8
    9
    8
    1.8
    V
    ns
    ns
    V
    DD
    = 25V
    I
    D
    = 1A
    R
    根
    = 25Ω
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    =1.0A
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    =1.0A
    pF
    5.0
    3.0
    1
    Ω
    %/°C
    m
    µA
    V
    毫伏/°C的
    nA
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    =
    ±
    20V, V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    =最大额定值
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0.8最高评级
    T
    A
    = 125°C
    V
    GS
    = 5V, V
    DS
    = 25V
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 25V
    V
    GS
    = 5V ，我
    D
    = 250毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1A
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 0.5A
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 25V
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 1毫安
    典型值
    最大
    单位
    条件
    A
    注意事项：
    1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
    2.所有参数交流采样测试。
    开关波形和测试电路
    V
    DD
    10V
    90%
    输入
    0V
    脉冲
    发电机
    R
    根
    10%
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    F
    t
    D（上）
    V
    DD
    10%
    10%
    输入
    产量
    0V
    90%
    90%
    2
    Ω
    R
    L
    产量
    D.U.T.

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