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VP0550 参数 Datasheet PDF下载

VP0550图片预览
型号: VP0550
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 449 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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VP0550
热特性
TO-92
I
D
(连续) *
-54mA
I
D
(脉冲的)
-0.25A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
I
DR
*
-54mA
I
DRM
-0.25A
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
-500
-2.0
3.5
-4.5
6
-100
-10
-1000
I
D(上)
R
DS ( ON)
∆R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
-100
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
25
-90
-240
85
80
0.85
40
40
10
3
5
8
8
5
-0.8
200
70
20
10
10
10
15
16
-1.5
V
ns
V
GS
= 0V时,我
SD
= -0.1A
V
GS
= 0V时,我
SD
= -0.1A
ns
V
DD
= -25V
I
D
= -100mA
R
= 25Ω
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
125
%/°C
m
µA
mA
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -5V ,我
D
= -5mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -10mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -10mA
V
DS
= -25V ,我
D
= -10mA
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
(上)
R
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
输入
t
D(上)
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
D.U.T.
产量
R
L
V
DD