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VP0550 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VP0550
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 449 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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VP0550
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.15
200
导通电阻与漏电流
1.10
160
V
GS
= -5V
BV
DSS
(归一化)
R
DS ( ON)
(欧姆)
1.05
120
V
GS
= -10V
1.00
80
0.95
40
0.90
-50
0
50
100
150
0
0
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
T
j
(°C)
传输特性
-0.4
1.10
I
D
(安培)
V
( TH )
和R
DS
随温度的变化
2.0
V
DS
= -25V
1.05
R
DS ( ON)
@ -10V , -10mA
1.6
1.00
1.2
-0.2
T
A
= 25
°C
0.95
0.8
T
A
= 150
°C
0.90
0.4
V
( TH )
@ -1mA
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.85
-50
0
50
100
150
0
V
GS
(伏)
电容与漏 - 源极电压
80
-10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
-8
60
V
DS
= -10V
C(皮法)
V
GS
(伏)
C
国际空间站
40
-6
V
DS
=
-40V
83pF
-4
20
30pF
C
OSS
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
-2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
(伏)
Q
G
( nanocoulombs )
11/12/01
©2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动,桑尼维尔, CA 94089
电话: ( 408 ) 744-0100 •传真: ( 408 ) 222-4895
www.supertex.com
R
DS ( ON)
(归一化)
V
GS ( TH)
(归一化)
T
A
= -55
°C
I
D
(安培)