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    VP0650 参数 Datasheet PDF下载

    VP0650图片预览
    型号： VP0650
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型垂直DMOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 62 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号VP0650的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VP0650的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VP0650的Datasheet PDF文件第4页  
    VP0645/VP0650
    热特性
    包
    TO-92
    TO-39
    TO-220
    I
    D
    （连续） *
    -0.1A
    -0.25A
    -0.25A
    I
    D
    （脉冲的）
    -0.3A
    -0.5A
    -0.5A
    功耗
    @ T
    C
    = 25
    °
    C
    1W
    6W
    45W
    θ
    jc
    °
    C / W
    125
    21
    2.7
    θ
    ja
    °
    C / W
    170
    125
    70
    I
    DR
    *
    -0.1A
    -0.25A
    -0.25A
    I
    DRM
    -0.3A
    -0.5A
    -0.5A
    *
    I
    D
    （续）由最大限制额定牛逼
    j
    .
    电气特性
    （ 25°C ，除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    参数
    漏 - 源
    击穿电压
    栅极阈值电压
    改变V
    GS （ TH）
    随温度
    门体漏
    零栅极电压漏极电流
    VP0650
    VP0645
    民
    -500
    -450
    -2
    -4
    -4.8
    -100
    -10
    -1
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    ∆R
    DS （ ON）
    G
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    t
    rr
    通态漏电流
    -200
    静态漏 - 源
    导通状态电阻
    变化在研发
    DS （ ON）
    随温度
    正向跨导
    输入电容
    共源输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    二极管的正向压降
    反向恢复时间
    300
    50
    125
    95
    50
    10
    160
    75
    20
    10
    10
    20
    15
    -1.8
    V
    ns
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = -50mA
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = -50mA
    ns
    V
    DD
    = -25V
    I
    D
    = -200mA
    R
    根
    = 25Ω
    pF
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    =- 25V
    F = 1 MHz的
    -200
    -700
    27
    22
    30
    0.75
    %/°C
    m
    Ω
    V
    毫伏/°C的
    nA
    µA
    mA
    mA
    典型值
    最大
    单位
    V
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -2mA
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = -2mA
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = -2mA
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    =最大额定值
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0.8最高评级
    T
    A
    = 125°C
    V
    GS
    = -5V, V
    DS
    = -25V
    V
    GS
    = -10V, V
    DS
    = -25V
    V
    GS
    = -5V ，我
    D
    = -100mA
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    = -100mA
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    = -100mA
    V
    DS
    = -25V ，我
    D
    = -100mA
    注意事项：
    1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
    2.所有参数交流采样测试。
    ETE -
    开关波形和测试电路
    SOL
    - OB
    0V
    10%
    输入
    -10V
    脉冲
    发电机
    R
    根
    90%
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    F
    输入
    t
    D（上）
    0V
    90%
    产量
    V
    DD
    90%
    10%
    10%
    7-246
    Ω
    D.U.T.
    产量
    R
    L
    V
    DD

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