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VP0650 参数 Datasheet PDF下载

VP0650图片预览
型号: VP0650
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内容描述: P沟道增强型垂直DMOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
ETE -
SOL
- OB
50
40
VP0645/VP0650
导通电阻与漏电流
V
GS
= -5V
V
GS
= -10V
BV
DSS
(归一化)
R
DS ( ON)
(欧姆)
30
1.0
20
10
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
T
j
(°C)
传输特性
-1.0
I
D
(安培)
V
( TH )
和R
DS
随温度的变化
2.0
V
DS
= -25V
-0.8
1.2
R
DS ( ON)
@ -10V , -0.1A
V
GS ( TH)
(归一化)
1.1
-0.6
T
A
= 25
°C
-0.4
1.0
1.0
0.9
-0.2
T
A
= 150
°C
0.8
V
( TH )
@ -2mA
0
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
V
GS
(伏)
电容与漏 - 源极电压
200
-10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
-8
150
V
DS
= -10V
V
DS
=
-40V
C(皮法)
V
GS
(伏)
-6
100
C
国际空间站
250 pF的
-4
C
OSS
50
-2
90 pF的
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
(伏)
Q
G
( nanocoulombs )
7-248
R
DS ( ON)
(归一化)
T
A
= -55
°C
I
D
(安培)