SPN6562 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SPN6562
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内容描述：	双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 199 K
品牌：	SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]

SPN6562

双N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门1

源2

门2

排水2

源1

Drain1

订购信息

产品型号

SPN6562S26RG

※

本周代码： A〜Z （ 1 〜 26 ） ; A〜Z （ 27 〜 52 ）

※

SPN6562S26RG ：带卷轴;铅 - 免费

包

SOT-23-6L

部分

记号

62YW

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

≤

10sec

稳定状态

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

±12

2.8

2.3

1.25

1.15

0.75

单位

℃

-55/150

100

℃/W

2006/08/15

Ver.1

第2页

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