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THN6301 参数 Datasheet PDF下载

THN6301图片预览
型号: THN6301
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]
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THN6301系列
电气特性
( T
A
= 25
)
价值
符号
I
CBO
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
C
CB
|S
21
|
2
参数
测试条件
V
CB
= 19 V,I
E
= 0毫安
V
CE
= 12 V,I
B
= 0毫安
分钟。
-
-
-
80
-
-
10
12
15
16
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
150
10
0.55
12.5
14.5
16.5
18
1.1
0.09
14.5
15.5
27
马克斯。
0.5
5
0.5
300
-
-
-
单位
uA
uA
uA
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
V
EB
= 1 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 8 V,I
C
= 15毫安
V
CE
= 8 V,I
C
= 15毫安
GHz的
pF
dB
集电极基极电容V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
插入功率增益
V
CE
= 8 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的
最大可用增益
最小噪声科幻gure
抗噪声能力
相关的增益
输出3阶截取
V
CE
= 8 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的
-
-
dB
-
-
-
-
dB
-
-
DBM
dB
MAG
NFmin
rn
G
A
OIP
3
V
CE
= 8 V,I
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 15 mA时, F = 1 GHz的
www.tachyonics.co.kr
- 2/11 -
Aug.-2005
修订版2.0