欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

THN6301 参数 Datasheet PDF下载

THN6301图片预览
型号: THN6301
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]
 浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第1页浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第2页浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第3页浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第5页浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第6页浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第7页浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第8页浏览型号THN6301的Datasheet PDF文件第9页  
THN6301系列
最大可用增益, MAG与频率的关系
插入功率增益| S
21
|
2
与频率的关系
26
24
ð (T ,R 1 0 (E S) T5 3 8 1米_ 2 8 6 ( 2 ) )
B A F 5 3 _ O 2 _ V 5 A 0 0 1 ..S , 1
2
(S
|S
分贝(2,1) )
21
| [分贝]
牛逼的R 1 0 (E S) T5 3 8 1米_ 2 8 6的G
A F 5 3 _ O 2 _ V 5 A 0 0 1 ..M X 1
MX 1
G IN
MAG
a
[分贝]
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
22
20
18
16
V
CE
= 8 V
I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
V
CE
= 8 V
I
C
= 15毫安
14
12
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
10
8
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率, GHz的
频率[ GHz的]
频率, GHz的
频率
[千兆赫]
过渡频率f
T
与我
C
14
最大可用增益, MAG与我
C
20
12
V
CE
= 8 V
19
18
F = 1 GHz的
V
CE
= 8 V
10
V
CE
= 3 V
17
V
CE
= 3 V
MAG (分贝)
f
T
[千兆赫]
8
16
15
14
13
6
4
2
V
CE
= 2 V
12
11
V
CE
= 2 V
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I
C
[马]
I
C
[马]
www.tachyonics.co.kr
- 4/11 -
Aug.-2005
修订版2.0