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TFP2N65 参数 Datasheet PDF下载

TFP2N65图片预览
型号: TFP2N65
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内容描述: N沟道功率MOSFET 1.9A , 650V , 7.5Î © [N-Channel Power MOSFET 1.9A, 650V, 7.5Ω]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 326 K
品牌: TAK_CHEONG [ Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd ]
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德昌
电气特性
®
SEM ICON杜CTO ř
开关特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
参数
漏Sounce击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 650V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
分钟。
650
--
--
--
典型值。
--
--
--
--
马克斯。
--
10
100
-100
单位
V
uA
nA
nA
基本特征
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压
导通电阻
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.9A
分钟。
2.0
--
典型值。
--
5.0
马克斯。
4.0
7.5
单位
V
Ω
动态特性
符号
西塞
科斯
CRSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
分钟。
--
--
--
典型值。
200
30
9
马克斯。
260
40
12
单位
pF
pF
pF
开关特性
符号
参数
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 520V ,我
D
= 1.9A,
V
GS
= 10V
(注3 & 4 )
V
DD
= 325V ,我
D
= 1.9A,
R
G
= 50Ω
(注3 & 4 )
测试条件
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
12
14
36
18
8
1.5
4.5
马克斯。
34
38
82
46
11
--
--
单位
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
t
D(上)
tr
t
D(关闭)
tr
Qg
QGS
QGD
漏源二极管的特性和最大额定值
符号
参数
测试条件
分钟。
--
--
--
--
--
(典型值) ,
--
--
--
241
0.95
马克斯。
2.0
8.0
1.5
--
--
单位
A
A
V
nS
uC
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.9A
V
GS
= 0V时,我
S
= 1.9A,
dI
F
/ DT = 100A /美国
(注3)
注意事项:
3.脉冲测试:脉冲宽度
& LT ;
300US ,占空比
2%.
4.基本上不受工作温度。
编号: DB- 182
2010年3月,修订版B
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