CMOS电流模式
PWM控制器
TC170
峰值电流限制设置
电阻R1和R2的电流限制输入（引脚1 ）
设置TC170峰值电流限制（图1） 。在电位
1脚是很容易计算：
V1 = V
REF
R2
R1 + R2
输入脉冲到针16应至少为500毫微秒
宽，并至少有1V的振幅，以便获得所述
最小传播延迟从输入到输出。如果这些
满足的参数，延迟应该小于
600nsec ，在25℃ ;然而，延迟时间会增加
该装置的温度上升。
软重起关闭
软启动可如果非锁定关断模式编程
向下操作时使用。
电容器的引脚1会造成逐渐增加
电位向V1 。当1脚达到电压
0.75V时，PWM锁存设置输入端被去除，电路
建立了稳定的输出电压。软启动操作
化强制PWM输出驱动器最初与操作
最小占空比和低峰值电流。
即使不是必需的软启动，有必要
插入销1与接地，如果电流I之间的电容器
L
大于125μA 。该电容可以防止"noise
triggering"锁存器，但尽量减少软启动的效果。
R1应首先选择。在关断电路为特色的
TURE不会被锁存为（V
REF
- 0.35 ） / R1 < 50μA ，是
锁存电流大于125μA 。
误差放大器的输出电压是从夹紧
将上述V1通过限制缓冲放大器。高峰
电流被感测到的RS和由电流放大
放大器，它具有3.15的固定增益。
I
的PCl
时，峰值电流限制，是目前引起
PWM比较器同相输入端超过V1时，
势在反相输入端。当比较器跳
点突破，两路输出都被禁用。
I
的PCl
容易计算出来：
I
的PCl
=
其中：
V1 = V
REF
R2
R1 + R2
V1 – 0.75V
3.15 。（RS）
软启动POWER- UP
在上电期间，电容在R1 ， R2启动软
启动循环。当输入电压（引脚15 ）超过
欠压锁定电压（ 7.7V ） ， Q4截止，
截至欠压锁定。当PWM比较
parator反相输入低于0.5V时，两个输出都
禁用。
当欠压锁定电平通过后，
电容器开始充电。 PWM占空比增大
直到所述操作的输出电压就达到了。软启动
操作强制PWM输出驱动器开始运行
用最小占空比和低峰值电流。
V
REF
=内部参考电压= 5.1V
3.15 =增益电流检测放大器
= 0.75V电流极限偏差
这两种驱动器输出（引脚11和14 ）为OFF （ LOW ）
当超出峰值电流限制。当感测到的
电流低于我
的PCl
时，电路正常工作。
输出关断
该TC170输出可以快速关闭通过
关断输入（引脚16 ） 。信号大于350毫伏
引脚16强制关机比较器输出高电平。
PWM锁存器保持设定，禁用输出。
Q 2也导通。如果V
REF
/ R1大于125μA ，
通过锁止放大器和Q1的正反馈
保持低于反相PWM比较器的反相输入端
0.75V 。即使在关断输入Q3保持ON
信号被移除，因为正反馈。该
状态只能通过一个电周期中被清除。输出
看跌期权将被禁用时，引脚1的潜力
下面0.75V 。
关闭终端提供了一种快速，直接的方式来显示
能够在TC170输出晶体管。系统保护和
远程关机的应用是可能的。
4-122
电流检测放大器
电流检测放大器工作在固定增益
3.15 。最大差分输入电压（V
PIN4
– V
PIN3
）是
1.1V 。共模输入电压范围为0V到V
IN
– 3V.
电阻感测方法示于图2中。
图2（a ） ，一个简单的RC滤波器限制瞬态电压尖峰
在针4 ，引起外部输出晶体管集电极
电容。变压器耦合（图3）提供间隔离
化和更好的电源效率，但成本和复杂性
增加。
为了最大限度地减少从输入的传播延迟
到电流放大器的输出端，电流
坡道应在1阶
µs
宽（分钟）。典型
时间延迟值在300 ，在25℃至400nsec区域。
用元件温度的延迟时间增大，以便在
50℃时，延迟时间可以增加多达
100nsec.
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
