CMOS电流模式
PWM控制器
TC170
1
VDD
引脚8
1
FO
2
3
2.3V 4.3V
I
收费
2.3V
RO
+
–
2.3V
引脚10
ON- TIME
10
SYNC
放电
当前
1毫安
8
9
RO
输出死区时间(Td )
CO
4
图6 。振荡器电路
振荡器频率和输出死区时间
振荡器的频率对于R
O
= 24kΩ和
C
O
= 1000pF的是:
振荡器电阻值(kΩ )
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
500pF
1000pF的750pF
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
振荡器频率(kHz )
250pF
TA = + 25°C
F
O
=
[
1.27
2800
–
R
O
C
O
R
O2
C
O
]
C
O
C
O
+ 150
×
10
–12
5
6
7
式中,R
O
=振荡器电阻( Ω )
C
O
=振荡器电容(F )
F
O
=振荡器频率(Hz )
振荡电阻范围从5 kΩ至50 kΩ的。
振荡器的电容范围为250 pF至1000 pF的。
图7显示了典型的操作中关于各种电阻和
的电容值。
在两个输出端之间的转换,请同时
防止neous传导。振荡器下降时间控制
输出关闭,或死区时间(图6) 。
死区时间大约是:
T
D
=
2000 [C
O
]
1–
图7 。
振荡器频率与振荡器电阻
( )
2.3
R
O
式中,R
O
=振荡器电阻值(kΩ )
C
O
=振荡器电容(PF )
T
D
=输出死区时间(秒)
最大可能的占空比被所述死区时间设置。
8
TELCOM半导体,INC。的
4-125