百毫安充电泵DC- TO- DC
电压转换器
TC660
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ........... + 6V
LV ， FC ， OSC输入
电压（注1 ） ....................... V
OUT
= 0.3V至（V
+
+0.3V)
目前进入LV （注1 ） ...................... 20
µA
对于V
+
>3.5V
输出短路持续时间（V
供应
≤
5.5V ） （注3 ） 。10秒
功率耗散（注2 ） （T
A
≤
70°C)
SOIC ................................................. .............. 470mW
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
工作温度范围
Ç后缀................................................ .. 0 ° C至+ 70°C
后缀E ............................................. - 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
规格测量在工作温度范围内，
V
+
= 5V ，C
OSC
=开放， C1 ， C2 = 150μF ， FC =打开，测试电路
（图1 ）中，除非另有说明。
符号
I
+
参数
电源电流
测试条件
R
L
=
∞
FC引脚= OPEN或GND
FC引脚= V
+
LV = HIGH ，R
L
= 1 kΩ
LV = GND ，R
L
= 1 kΩ
LV = OUT ，R
L
= 1千欧（图9）
I
OUT
= 100毫安
V
OUT
< - 4V
7脚打开; 1脚开路或接地
引脚1 = V
+
引脚1开
引脚1 = V
+
R
L
= 1 kΩ的连接V之间
+
＆放大器; V
OUT
R
L
= 500Ω连接V之间
OUT
& GND
I
L
= 100mA至GND
R
L
=
∞
V
+
民
—
—
3
1.5
2.5
—
100
—
—
—
—
96
92
—
99
典型值
200
1
—
—
—
6.5
—
10
90
+1.1
+5
98
96
88
99.9
最大
500
3
5.5
5.5
5.5
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
µA
mA
V
V
+
电源电压范围
R
OUT
I
OUT
F
OSC
I
OSC
P
EFF
输出源电阻
输出电流
振荡器频率
输入电流
电源使用效率（注4 ）
Ω
mA
千赫
µA
%
V
OUT
E
FF
电压转换效率
%
注意事项：
1.连接所有输入端电压高于
或小于接地可能引起破坏性的闩锁。所以建议不
从资源的投入，从外部电源供电之前被应用到"power了TC660的up" 。
2.线性降额高于50℃的5.5毫瓦/ ℃。
3.为防止损坏设备，请勿短期V
OUT
到V
+
.
4.为了最大限度地提高输出电压和效率的性能，采用低ESR的电容对C
1
和C
2
.
4-6
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
