百毫安充电泵DC- TO- DC
电压转换器
TC660
典型特征
（续）
10)
100
振荡器频率（kHz ）
LV GROUNDED
振子频率（KHz ）
80
LV开
振荡器频率
- 电源电压
11)
12
10
8
6
4
振荡器频率
与温度的关系
12)
100
振荡器工频突变（千赫）
振荡器频率
与温度的关系
80
60
FC = V + ， OSC = OPEN
60
40
40
FC = V + ， OSC = OPEN
20
FC = OPEN ， OSC = OPEN
2
0
-40
20
0
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压（ V）
-20
20
40
60
温度（℃）
0
80
100
0
-40
-20
20
40
60
0
温度（℃）
80
100
13)
振荡器频率
与外接电容
14)
TC7660和TC660输出
电压和功率效率
- 负载电流，V
+ =
5V
TC7660
100
100
振荡器频率（kHz ）
FC = V +
输出电压（V）
10
-3.0
TC660
-3.8
EFF
VOUT
TC660
84
1
-4.2
76
0.1
FC =开
-4.6
TC7660
40
60
80
负载电流（mA ）
68
0.01
-5.0
1 2
5 10 20
100 500 2000 10000
电容（pF）
0
2.0
60
100
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
FC
帽
+
GND
帽
–
V
OUT
LV
OSC
V
+
描述
内部振荡器的频率控制。 ˚F
≈
在10 kHz的FC
≈
打开;
≈
90千赫时，
FC = V
+
。 FC没有任何影响，如果OSC是过载。
外部电容+终端
电源地（逆变器）或正输入（倍增）
外部电容 - 终端
负电压输出（逆变器）或接地（倍增）
"Low - Voltage"针。连接到GND引脚用于变频器运行时， V
IN
< 3V ;离开
打开或高于3V GND。当过驱动OSC ，连接到GND 。
对于内部OSC的外部控制。连接分机。 C来自OSC至GND （接近PKG ）。
降低振荡器的频率
正电压输入（逆变器）或输出（倍增）
电源效率（ ％ ）
-3.4
92
4-8
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
