DG417/418/419
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关闭
漏电流
I
D（关闭）
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
16 5 V V
16 5
V
D
=
#15.5
V
V
S
=
"15.5
V
DG417
DG418
DG419
DG417
DG418
DG419
I
S
= -10毫安，V
D
=
"12.5
V
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
20
–0.1
–0.1
–0.1
–0.4
–0.4
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.75
–60
–0.4
–40
–0.75
–60
–15
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
–0.25
–5
–0.25
–5
–0.75
–12
–0.4
–10
–0.75
–12
–15
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
nA
V
W
后缀
-55到125°C
ð后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
通道上
泄漏ç
L·K
当前
I
D（上）
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
,
V
S
= V
D
=
"15.5
V
15 5
数字控制
输入电流
V
IN
低
输入电流
V
IN
高
I
IL
I
IH
满
满
0.005
0.005
–0.5
–0.5
0.5
0.5
–0.5
–0.5
0.5
mA
0.5
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
C
S（ OFF）
F = 1 MHz的V
S
= 0 V
兆赫，
流掉电容
通道上
电容
C
D（关闭）
C
D（上）
DG417
DG418
DG417
DG418
DG419
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S
=
"10
V
见开关时间
测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
=
"10
V
V
S2
=
#10
V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
"10
V
DG417
DG418
DG417
DG418
DG419
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
13
60
8
8
30
35
5
100
60
175
250
145
210
175
250
5
pC
175
250
145
210
175
250
ns
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
SOURCE OFF
电容
DG419
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
p
pF
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
,
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
–0.001
0.001
–0.000
1
–1
–5
1
5
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
A
mA
1
5
地电流
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D， 28 -APR- 97
3
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
