U2270B
以下部分说明了3个不同的
操作模式来驱动U2270B 。
1.一轨运行
所有内部电路都从一个5V的电源轨运行。
（参见图5） 。在这种情况下，V
S
,V
EXT
和DV
S
为
输入。 V
BATT
不使用，但也应该连接到
该电源轨。
+ 5V （稳定）
3.电池电压运行
采用这种操作模式下， V
S
和V
EXT
通过生成
内部电源。 （参照图7）。为了这
模式，则不需要外部电压调节器。该IC
经由销待机可以关掉。 V
EXT
供应
底座外部NPN晶体管和外部电路，
即，一个微控制器（甚至在待机模式下） 。
引脚V
EXT
和V
BATT
通过内部均过压保护
齐纳二极管（参阅图4）。最大电流成
该管脚由最大功率耗散确定
灰和IC的最大结温。为
短时间的电流脉冲，有较高的功率耗散能
假设（参考应用笔记ANT019 ） 。
7至16 V
D
VS
V
EXT
V
S
V
BATT
待机
12579
图5中。
2.两轨运行
在该应用中，驱动器电压，DV
S,
和
预驱动器电源，V
EXT
都在较高的电压下工作
较电路的其余部分以获得更高的
驱动器输出摆动并因此更高的磁场，
参考图6， V
S
连接到5V电源，而
驱动电压可以高达8 V.该操作
模式的目的是在情况下使用，其中一个
扩展通信距离是必需的。
7 〜8 V（稳定）
5 V （稳定）
D
VS
V
EXT
V
S
V
BATT
待机
12600
图7 。
D
VS
V
EXT
V
S
V
BATT
待机
12580
图6 。
表1下面的表格总结了各种操作模式的特性。
操作模式
1.一轨运行
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Á
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5 V
±
10%
2.两轨运行
3.电池电压
手术
5 V
±
10%
7 V至8 V
6 V至16 V
6伏到7V的
No
外部组件重
quired
1稳压器
1电容器
2稳压器
2电容器
1晶体管
2电容器
可选的负载突降
保护：
1电阻
1电容器
电源电压范围
驱动器输出
电压摆幅
4V
[
待机模式
可用的
No
[
4V
是的
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得力风根半导体
牧师A3 ， 13日-12月96
TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
