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U2270B 参数 Datasheet PDF下载

U2270B图片预览
型号: U2270B
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内容描述: 读/写基站集成电路 [Read / Write Base Station IC]
分类和应用: 模拟IC信号电路
文件页数/大小: 13 页 / 147 K
品牌: TEMIC [ TEMIC SEMICONDUCTORS ]
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U2270B
振荡器( OSC )
片上振荡器的频率由控制
电流馈入第r
F
输入。集成的补偿
电路确保一种应用广泛的温度和电源电压IN-
的选择由一个固定电阻取决于频率
R的
F
(引脚15 )和V
S
(引脚14)。对于125 kHz的电阻
110 ķ器值
W
被定义。对于其它频率,利用
下式:
R
f
R
S
10 k
W
C
IN
210 k
W
V
BIAS
– 0.4 V
V
BIAS
12601
V
BIAS
+ 0.4 V
~
~
+
14375 – 5 k
W
f
0
[千赫]
此输入可用于调节频率接近
谐振天线。欲了解更多详细信息,请参阅AP-
plicatons和应用笔记ANT019 。
V
CC
的引脚输入图9.等效电路
放大器( AMP )
R
f
2 k
W
R
F
差分放大器具有固定增益,一般为30 。
该HIPASS引脚用于直流去耦。低
去耦电路的截止频率可以是
计算公式如下:
f
9695
+
2
p
1
C
HP
R
i
引脚的R图8.等效电路
F
内部电阻R的值
i
可以假定为
2.5 k
W
.
的C值推荐
HP
对选择的数据速率可
可以发现,在一章“应用程序” 。
R
+
施密特
TRIGGER
滤波器(LPF)
在完全集成的低通滤波器( 4阶butter-
值得)除去剩余的载波信号和
解调后的高频disturbancies 。该
低通滤波器的上截止频率取决于SE-
lected振荡器的频率。的典型值。价值为fosc / 18 。那
意味着数据传输速率高达FOSC / 25是可能的,如果双相
或曼彻斯特编码被使用。
从电容的高通特性的结果
耦合在所述输入端4 ,如图9的输入
电压摆动限制在2 V
pp
。对频率响应
计算中,信号源和LPF的阻抗
输入(典型值220 ķ
W
)必须被考虑。时建议
输入电容的选定数据值的修补
率,都显示在章节“应用程序” 。
注意:
载体,的直流电压上的切换之后
耦合电容急剧变化。当
该天线的电压是稳定的,低通滤波器需要
约2毫秒至收回全部的敏感性。
R
LPF
V
REF
R
R
i
R
HIPASS
C
HP
12578
销HIPASS的图10的等效电路
得力风根半导体
牧师A3 , 13日-12月96
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