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T431616E-7S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T431616E-7S
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内容描述: 1M ×16 SDRAM 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 74 页 / 757 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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TE  
tmCH  
T431616D/E  
Absolute Maximum Rating  
Symbol  
Item  
Rating  
-5/6/7  
Unit  
Note  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
TOPR  
Input, Output Voltage  
Power Supply Voltage  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
- 1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
0 ~ 70  
- 55 ~ 125  
1
V
V
1
1
1
1
1
1
C
C
°
TSTG  
PD  
IOUT  
°
Power Dissipation  
Short Circuit Output Current  
W
mA  
50  
Recommended D.C. Operating Conditions (Ta = -0~70 C)  
°
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
3.3  
3.3  
-
Max.  
3.6  
3.6  
VDDQ+0.3  
0.8  
Unit  
V
V
V
V
Note  
VDD  
VDDQ  
VIH  
Power Supply Voltage  
3.0  
3.0  
2.0  
- 0.3  
2
2
2
2
Power Supply Voltage(for I/O Buffer)  
LVTTL Input High Voltage  
LVTTL Input Low Voltage  
VIL  
-
Capacitance (VDD = 3.3V, f = 1MHz, Ta = 25 C)  
°
Symbol  
CI  
CI/O  
Parameter  
Input Capacitance  
Input/Output Capacitance  
Min.  
Max.  
Unit  
pF  
pF  
2
4
5
7
Note: These parameters are periodically sampled and are not 100% tested.  
TM Technology Inc. reserves the right  
to change products or specifications without notice.  
P. 17  
Publication Date: FEB. 2007  
Revision: A