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    T15M256B-70N 参数 Datasheet PDF下载

    T15M256B-70N图片预览
    型号： T15M256B-70N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32K ×8低功耗CMOS静态RAM [32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 89 K
    品牌： TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
     浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号T15M256B-70N的Datasheet PDF文件第9页  
    tm
    TE
    CH
    T15M256B
    电容
    （ VCC = 5V /
    ± 10%
    TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
    参数
    输入电容
    输入/输出电容
    符号
    条件
    V
    IN
    = 0V
    V
    OUT
    = 0V
    马克斯。
    6
    8
    单位
    pF
    pF
    C
    IN
    C
    I / O
    注意：
    这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
    AC测试条件
    参数
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入和输出时序参考电平
    输出负载
    0V至3V
    3纳秒
    1.5V
    参见图。 1,2
    条件
    AC测试负载和波形
    5V
    产量
    R1 - 1928年欧
    5V
    产量
    R1〜 1928年欧
    30pF
    INCLUDING
    夹具
    范围
    R2
    1020欧
    5pF
    INCLUDING
    夹具
    范围
    R2
    1020
    欧姆
    （对于T
    C L ž
    , T
    Ø LZ
    , T
    建华ž
    , T
    Ø ħ ž
    , T
    W H ž
    , T
    O w制备
    )
    图1
    图2
    TM科技公司保留权利
    改变产品或规格，恕不另行通知。
    P. 4
    出版日期：五月。 2002年
    修订版：A

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