tm
TE
CH
T15M256B
AC特性
(
VCC
= 5V /
± 10%
， VSS = 0V ，TA =
0 ~ +70
°C/
-40到85 ℃）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
符号。
-45ns
-50ns
-70ns
-85ns
-100ns
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RC
t
AA
t
ACS
t
AOE
t
CLZ *
t
OLZ *
45
-
-
-
7
5
-
-
10
-
45
45
22
-
-
15
15
-
50
-
-
-
7
5
-
-
10
-
50
50
25
-
-
20
20
-
70
-
-
-
10
5
-
-
10
-
70
70
35
-
-
25
25
-
85
-
-
-
10
5
-
-
10
-
85
85
40
-
-
30
30
-
100
-
-
-
10
5
-
-
10
-
100
100
50
-
-
30
30
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
芯片取消选择到输出高
t
CHZ *
Z
输出禁止到输出中高Z
t
OHZ *
从地址变更输出保持
t
OH
*这些参数的测量条件为5pF的测试负载。
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出写入结束活动
符号。
-45ns
-50ns
-70ns
-85ns
-100ns
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ *
t
OW
45
35
35
0
25
0
22
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
50
40
40
0
30
0
25
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
*这些参数的测量条件为30pF的测试负载。
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 5
出版日期：十月2003
版本：C
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
