T15M256B-70DG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T15M256B-70DG
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内容描述：	32K ×8低功耗CMOS静态RAM [32K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	13 页 / 89 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

T15M256B

注：1。在此期间， I / O引脚处于输出状态，那么相对相位的输入信号

输出不宜应用。

2.从输出的数据

OUT

的相同的数据写入到

在写入周期。

OUT

为下一个地址读出的数据。

4.转换测量

500毫伏的稳定状态

= 5pF的。

保证，但不是100 ％测试。

这个参数是

5.如果OE是低电平期间，我们控制的写周期，写脉冲宽度必须是规模较大的

TWP或（ tWHZ + TDW ），允许I / O驱动程序，关闭和数据放置在总线上的

需要TDW 。如果OE为高电平期间，我们控制的写周期，这个要求呢

不适和写脉冲可短至指定的TWP 。

TM科技公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P. 9

出版日期：十月2003

版本：C

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