T35L6432B-10Q 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T35L6432B-10Q
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内容描述：	64K ×32的SRAM [64K x 32 SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	16 页 / 163 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

T35L6432B

设备进入暂停模式。当ZZ

引脚变为逻辑高电平，我

之后有保证

建立时间tZZ满足。任何访问待定

当进入暂停模式不能保证

成功完成。因此，斯诺

MODE不能开始，直到有效申请中

操作完成。

贪睡模式

暂停模式是一种低电流， “电源

下“模式，其中所述装置被取消，并

电流减小到我

ZZ.

的持续时间

暂停模式是通过的时间长度决定的

在ZZ引脚处于高状态。进入后

贪睡模式下，时钟和所有其他投入

将被忽略。

在ZZ引脚（引脚64 ）是

异步，高电平有效的输入导致的

贪睡模式电气特性

描述

目前在

贪睡模式

ZZ到高

暂停模式时

贪睡模式

手术恢复时间

条件

≥

符号

tZZ

tRZZ

2(tKC)

民

最大

单位

笔记

贪睡模式波形图

CLK

ř ZZ

苏PPL ÿ

： D 2 O N' T C A R é

注意：

1。

如上图所示信号指的是TRUE状态上的所有芯片选用的设备。

2.召开所有其他输入静态CMOS电平（ VIN

≤

VSS + 0.2 V或

≥

VCC -0.2 V）。

台湾记忆体技术，公司保留权利

改变产品或规格，恕不另行通知。

P.11

出版日期：七月2002年

修订版：A

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