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T35L6432B-10Q 参数 Datasheet PDF下载

T35L6432B-10Q图片预览
型号: T35L6432B-10Q
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内容描述: 64K ×32的SRAM [64K x 32 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 16 页 / 163 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
TE
CH
T35L6432B
*应力大于那些在上市
"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个应力
值仅为该设备的功能操作
在这些或任何上述其他条件
在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。
接触
绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
绝对最大额定值*
电压VCC电源相对于VSS 。
............ -0.5V至+ 4.6V
I / O电源电压VCCQ ........... Vss的-0.5V至
VCC
VIN ......................................... -0.5V至Vcc + 0.5V
存储温度(塑料) ...... -55 ° C至+ 150°C
结温......... ... .................. + 150°C
功耗1.0W ........................................
短路输出电流...................... 100毫安
直流电气特性与推荐
工作条件
(0°C
Ta
70 ℃; Vcc = 3.3V ( + 0.3V / -0.165V ),除非另有说明)
描述
输入高电平(逻辑)
电压
输入低电平(逻辑)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
条件
符号。
VIH
VIL
0V
VIN
VCC
输出(S )禁用, 0V
VOUT
VCC
IOH = -4.0毫安
IOL = 8.0毫安
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
VCC
2
-0.3
-2
-2
2.4
3.1
0.4
3.6
马克斯。
条件
设备选择;所有输入
≤V
IL或
电源
VIH ;周期
TKC MIN ; VCC
当前位置:工作
= MAX ;输出开路
设备选择;
ADSC
,
ADSP
,
电源
电流:空闲
描述
SYM 。 TYP
ICC
-9
-10
-11
-12单位备注
mA
3, 12, 13
最大
VCCQ + 0.3
0.8
2
2
单位
V
V
uA
uA
V
V
V
笔记
1, 2
1, 2
14
1, 11
1, 11
1
待定250 200 150 120
ADV
,
GW
,
BWE
VIH ;所有其他
inputs≤VIL or≥VIH ; VCC = MAX ;
周期
TKC MIN :输出开路
设备取消; VCC = MAX ;所有
输入
VSS + 0.2
VCC - 0.2 ;
所有输入静态的; CLK频率= 0
设备取消;所有输入
VIL
or
VIH ;所有输入静态的; VCC =
MAX ; CLK频率= 0
设备取消;所有输入
VIL
or
VIH ; VCC = MAX ; CLK周期
ISB1待定
60
60
60
60
mA
12, 13
CMOS待机
ISB2待定
10
10
10
10
mA
12, 13
TTL待机
ISB3待定
25
25
25
25
mA
12, 13
时钟运行
ISB4待定
60
60
60
60
mA
12, 13
时间
tKCMIN
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P.8
出版日期:七月2002年
修订版:A