欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

T436432B 参数 Datasheet PDF下载

T436432B图片预览
型号: T436432B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 2M ×32 SDRAM 512K X 32位X 4Banks同步DRAM [2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 72 页 / 708 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
 浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号T436432B的Datasheet PDF文件第12页  
tm
CLK
DQM
命令
TE
CH
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T436432B
T8
NOP
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
DQ 'S
DOUT A0
必须是高阻前
写命令
DINB 0
DINB1
DINB 2
: "H"或"L"
读到写的时间间隔(突发长度
4 , CAS#延迟= 3 )
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
1间隔的Clk
DQM
命令
NOP
NOP
班卡
激活
NOP
读了
写一个
NOP
NOP
NOP
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
: "H"或"L"
读到写的时间间隔(突发长度
4 , CAS#延迟= 2 )
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
命令
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
NOP
NOP
读了
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
NOP
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
: "H"或"L"
读到写的时间间隔(突发长度
4 , CAS#延迟= 2 )
爆没有自动预充电功能的读取可以通过BankPrecharge / PrechargeAll被打断
命令相同的银行。下图显示的最佳时间, BankPrecharge / PrechargeAll
命令在不同的CAS #延迟发出。
TM科技公司保留权利
P. 8
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2007年
修订版:A