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T436432B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T436432B
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内容描述: 2M ×32 SDRAM 512K X 32位X 4Banks同步DRAM [2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 72 页 / 708 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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tm
CLK
TE
CH
T436432B
引脚说明
名字
系统时钟
芯片选择
输入功能
活跃在正边沿采样所有的输入。
禁用或屏蔽,或使所有的输入使能设备操作
除了CLK , CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CS
CKE
时钟使能
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
A0 〜 A10 / AP
地址
行地址: RA0 〜 RA10 ,列地址: CA0 〜 CA7
Auot预充电标志: A10 / AP
BS0~1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
选择银行进行读/中列地址锁存器的时间写。
锁存行地址在CLK的正边沿
RAS
行地址选通
RAS
低。
让行存取&预充电。
锁存列地址在CLK的正边沿
CAS
列地址选通
CAS
低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
数据锁存从开始
CAS
,
WE
活跃的。
使得数据输出高阻,
t
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
WE
DQM0~3
DQ0 〜 DQ31
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
N.C
写使能
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
数据输出
电源/接地
无连接
电源/接地
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲,以提供分离的电源和接地
增强抗干扰性。
无连接。
TM科技公司保留权利
P. 4
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:二月2007年
修订版:A