tm
CLK
COM米，
DQ 'S
TE
CH
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T436432B
T8
NOP
写一个
写B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
1间隔的Clk
DIN A0
DIN B0
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
写由一写中断（脉冲串长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
读命令是不中断的自动预充电功能的写突发，应发出一份
后，其中的最后的数据中元素被登记在时钟边沿周期。为了避免数据冲突，输入
数据必须从所述第一读数据之前的至少一个时钟周期出现在输出的DQ被删除
（参见下图） 。一旦读命令是记录的，数据输入将被忽略，并写入
将不被执行。
T0
CL ķ
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COM马ND
NOP
写一个
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DIN A 0
不关心
DOUT B 0
DOUT B 1
DOUT B 2
DOUT B 3
DIN A 0
不关心
不关心
DOUT B 0
DOUT B 1
DOUT B 2
DOUT B 3
输入数据的写入被屏蔽。
输入数据必须从DQ的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端，以避免
数据争用。
写了一个读取中断（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
该BankPrecharge / PrechargeAll命令中断写突发无自动预充电
应该发出功能
m
在这最后一个数据项的元素被登记在时钟沿之后的周期，其中
m
等于吨
WR
/t
CK
向上舍入到下一个整数。此外， DQM信号必须被用于掩盖输入
数据，从时钟边沿之后的最后的数据的元件，并与该时钟边沿结束上
在BankPrecharge / PrechargeAll输入命令（参见下图） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
二维量子力学
激进党
Ç OM米钕
写
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
地址
BA NK
COL ñ
DIN
n
二正
n+ 1
BANK （S ）
tWR的
ROW
DQ
：无所谓
注意：
该DQMs可以保持低在本例中，如果的写入脉冲串的长度是1或2 。
写入预充电
TM科技公司保留权利
P. 10
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
