tm
7
CLK
命令
TE
CH
T436432B
写和AutoPrecharge命令（参见下图）
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， BS =银行， A10 = "H" ， A0 - A7 =列地址）
写后写和AutoPrecharge命令自动执行预充电操作
操作。一旦该命令被给出，任何随后的命令可以在一个时间延迟不会发生
{ （爆
长度-1） +吨
WR
+ t
RP
（分） } 。在整页突发，在该命令并且仅执行写入操作
自动预充电功能被忽略。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
银行
激活
NOP
NOP
Autoprecharge
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
DAL
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DIN A0
DIN A1
*
t
DAL
DIN A0
DIN A1
t
DAL
=
t
WR
+
t
RP
*
*
开始Autoprecharge
银行可在完成重新激活
t
DAL
突发写带自动预充电（突发长度= 2 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
8
模式寄存器设置命令
（ RAS ＃ = "L" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， BS0,1和A10 - A0 =寄存器数据）
模式寄存器中存储的数据，用于控制SDRAM的各种操作模式。模式
寄存器设置命令的程序CAS ＃延迟的值，在寻址模式模式和突发长度
寄存器使SDRAM的可用于多种不同的应用。模式寄存器的默认值
上电后是不确定的;因此，这一命令必须在上电序列发出。状态
销BS0,1和A10 〜A0在同一周期是写入模式寄存器中的数据。一个时钟周期是必需的
以完成在模式寄存器中的写入（参见下图） 。模式寄存器的内容可以
使用相同的命令和操作过程中的时钟周期的要求，只要所有银行都被改变
在空闲状态。
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P. 11
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：二月2007年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
