tm
符号
VDD1
TE
CH
T63H0002A
Temp=25ºC
电气特性
项
工作输入电压
条件
电压定义为VDD - V-
温度
25ºC
-AX
0~50ºC
*注
分钟。
典型值。
18
4.250
4.250
4.350
4.350
4.300
4.300
4.28
4.28
4.05
4.15
4.10
4.08
170
2.500
2.900
10
0.12
13
VDD-
0.9
5
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
V
V
ms
V
ms
V
us
千欧
V
V
4.225
4.220
4.325
4.320
4.275
4.270
4.255
4.250
4.00
4.10
4.05
4.03
4.275
4.280
4.375
4.380
4.325
4.330
4.305
4.310
4.10
4.20
4.15
4.13
210
2.563
2.963
13
0.14
17
VDD-
0.6
50
150
0.5
VDET1
过充电阈值
25ºC
检测上升-Bx 0 〜 50℃
供应的边缘
*注
电压
25ºC
-CX 0 〜 50℃
*注
25ºC
-DX 0 〜 50℃
*注
VREL1
释放电压
过充电检测
--
-AX
-Bx
-CX
-DX
过充电tVDET1输出延迟
VDET2
tVDET2
VDET3
tVDET3
VSHORT
tshort
Rshort
Vol1
Voh1
Vol2
Voh2
国际直拨电话
Istandby
过放电阈值
输出延迟
过放电
过电流阈值
多余的输出延迟
当前
短路保护电压
短输出延迟
保护
重性过剩
电流保护
COUT的N沟道开启电压
COUT的PCH的电压开启
DOUT的N沟道开启电压
DOUT的P沟道导通电压
电源电流
待机电流
C3=0.01uF,
140
VDD = 3.6V至4.3V
-AX ， -Bx
检测下降沿
2.437
-CX
电源电压
-DX
2.837
VDD = 3.6V至2.4V
检测“ V- ”脚的上升沿
电压
VDD=3.0V
VDD=3.0V
VDD=3.0V
VDD=3.6V,
V-=1.0V
Iol=50uA,
VDD=4.4V
Iol=-50uA,
VDD=3.9V
Iol=50uA,
VDD=2.4V
Iol=-50uA,
VDD=3.9V
VDD = 3.9V ， V- = 0V
VDD=2.0V
50
7
0.1
9
VDD-
1.2
100
0.35
3.4
3.7
0.2
0.5
V
V
3.4
3.7
5.0
0.3
9.0
0.6
uA
uA
*注意：考虑到变化的过程的参数，我们弥补这一特性相关的
温经激光微调，但是，这个规范是由设计保证，未经生产测试。
TM科技公司保留权利
P. 4
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：七月2002年
修订版：A
TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
