T63H0002A-AX 参数 Datasheet PDF下载

型号：	T63H0002A-AX
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内容描述：	[T63H0002A]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 167 K
品牌：	TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]

T63H0002A

手术

VD1 /过充电检测

该VD1监控VDD引脚的电压。当

VDD电压超过过充电检测电压

从低值到比越高VDET1

VDET1中， VD1可以感测过充电和一个

外部充电控制N -MOS -FET转向

“关”与COUT引脚处于“L”的水平。

可以有两种情况重置VD1使

COUT引脚电平为“H”再次检测后

过充电。重置VD1可以使充电

系统允许以恢复充电过程。

第一种情况是在这样的条件下，一个时

在VDD电压开始下降到一个较低的水平

比“ VREL1 ” 。而在第二种情况下，

连接后一种加载到VDD

断开从电池组充电器可以

使VD1复位时， VDD水平在

间“ VDET1 ”和“ VREL1 ” 。

在检测过充电与VDD电压

比VDET1更高，系统负载连接到

电池通过使负载电流允许

外部充电控制用FET的寄生二极管。该

COUT水平会很高，当VDD水平

下来到低于VDET1一个水平

负载电流的连续图形。

为过充电检测时的延迟时间可以

可以通过外部电容器C3之间的连接设置

在VSS引脚和CT引脚。外部电容器可以

从做片刻的延迟时间检测

过充电到时间输出一个信号，该信号使

充电控制用FET关闭。

当VDD水平上升到一个更高的水平

比VDET1如果VDD电压将回

的一个时间周期内的水平比VDET1下

输出的延迟时间， VD1不会输出一个信号

用于关断充电控制用FET 。

在缓冲驱动器整合为一个电平转换器

cout的销使Cout的管脚的“ L”电平到V形

端子的电压与Cout的管脚的“ H”电平被设置为

VDD电压CMOS缓冲器

VD2 /过放电检测仪

该VD2正在监视VDD引脚的电压。当

在VDD电压超过过放电检测仪

从一个高的值与值低阈VDET2

比VDET2时， VD2能够感测

过放电和外部放电控制

NCH MOSFT变为“ OFF”的DOUT引脚被

在“L”电平。

要重置VD2与DOUT引脚电平为“H”

后检测到过放电再有必要

充电器连接到了T63H0002电池组。

当VDD电压保持在过放电

TM科技公司保留权利

P. 5

改变产品或规格，恕不另行通知。

检测器阈值VDET2充电电流能够流

通过外部放电控制的寄生二极管

MOSFET ，那么VDD的电压后，来了一个

值比VDET2较大， Dout的变成“H”和

放电过程将能够前进

通过对MOSFET状态放电控制。

连接充电器给电池组使

Dout的电平是“H ”时瞬间的

VDD电压低于VDET2高。

此外，对于T63H0002 ，当电池电压达到

等于或大于过放电解除电压

出版日期：七月2002年

修订版：A

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