XP134A1275SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP134A1275SR
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内容描述：	P沟道功率MOS FET [P-Channel Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 157 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP134A1275SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

-18

-15

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏电流与栅源电压

-18

-15

VDS = -10V ，脉冲测试

-5V

-4.5V

-4V

-3.5V

-3V

25℃

Ta=-55℃

漏电流： ID（ A）

-12

-9

-6

-3

-1

-2

-3

漏电流： ID（ A）

125℃

-2.5V

-12

-9

-6

-3

-2V

Vgs=-1.5V

-4

-5

-1

-2

-3

-4

-5

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.25

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏源导通电阻

与漏电流

TA = 25 ℃时，脉冲测试

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.2

0.15

-2.5A

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Id=-4.5A

Vgs=-2.5V

0.1

-4.5V

0.1

0.05

-2

-4

-6

-8

-10

0.01

-4

-8

-12

-16

-20

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.25

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

0.6

VDS = -10V ，ID = -1mA

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.2

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-50

100

150

0.15

Vgs=-2.5V

Id=-4.5A

-2.5A

-4.5V

-2.5A, -4.5A

0.1

0.05

-50

100

150

环境温度：范围Topr （ ℃ ）

785

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