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    TPC6104 参数 Datasheet PDF下载

    TPC6104图片预览
    型号： TPC6104
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 206 K
    品牌： TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第7页  
    TPC6104
    R
    DS （ ON）
    - TA
    160
    常见的来源
    −100
    I
    DR
    – V
    DS
    常见的来源
    Ta
    =
    25°C
    脉冲测试
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    120
    VGS
    = −1.8
    V
    −2.2
    A
    ID
    = −1.1A
    −2.5
    V
    −4.5
    A
    I
    DR
    (A)
    反向漏电流
    脉冲测试
    −30
    80
    −4.5
    A
    ID
    = −1.1
    A,
    −2.2
    A
    −10
    −2.0
    −4
    −1.8
    −3
    −1
    VGS
    =
    0 V
    40
    ID
    = −1.1
    A,
    −2.2
    A,
    −4.5
    A
    −4.5
    V
    0
    −80
    −40
    0
    40
    80
    120
    160
    −1
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    环境温度
    Ta
    (
    °
    C)
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    电容 - V
    DS
    10000
    −2.0
    V
    th
    - TA
    常见的来源
    VDS
    = −10
    V
    ID
    = −200 µA
    脉冲测试
    3000
    V
    th
    (V)
    栅极阈值电压
    −30
    −100
    （PF ）
    1000
    西塞
    −1.5
    C
    电容
    300
    科斯
    CRSS
    100
    常见的来源
    Ta
    =
    25°C
    f
    =
    1兆赫
    VGS
    =
    0 V
    −0.3
    −1
    −3
    −10
    −1.0
    −0.5
    30
    10
    −0.1
    0
    −80
    −40
    0
    40
    80
    120
    160
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    环境温度
    Ta
    (
    °
    C)
    P
    D
    - TA
    2.5
    (1) t
    =
    5 s
    （1）设备安装在一
    玻璃环氧树脂板（一）
    （注2A ）
    （ 2）设备安装在一
    玻璃环氧基板（二）
    （注2B ）
    （ 1）直流
    1
    (2) t
    =
    5 s
    0.5
    （ 2）直流
    0
    0
    −20
    动态输入/输出特性
    常见的来源
    ID
    = −6
    A
    Ta
    =
    25°C
    脉冲测试
    −10
    VGS
    (W)
    (V)
    2
    −16
    −8
    漏极功耗
    漏源电压
    VDD
    = −16
    V
    −8
    −8
    V
    −8
    V
    −4
    V
    −4
    −4
    V
    −2
    −4
    40
    80
    120
    160
    0
    0
    8
    16
    24
    32
    0
    40
    环境温度
    Ta
    (
    °
    C)
    总栅极电荷Q
    g
    （ NC ）
    5
    2004-07-06
    栅源电压
    1.5
    −12
    VDD
    = −16
    V
    −6
    V
    GS
    (V)
    P
    D
    V
    DS

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