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    TPC6104 参数 Datasheet PDF下载

    TPC6104图片预览
    型号： TPC6104
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    内容描述： 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 206 K
    品牌： TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPC6104的Datasheet PDF文件第7页  
    TPC6104
    r
    th
    – t
    w
    1000
    （ ° C / W）
    300
    100
    设备安装在玻璃 -
    环氧树脂板（二） （注2b）的
    r
    th
    瞬态热阻抗
    30
    10
    设备安装在玻璃 -
    环氧树脂板（一）（注2a）的
    3
    1
    0.3
    单脉冲
    0.1
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    脉冲宽度
    t
    w
    (s)
    安全工作区
    −100
    −30
    ID MAX（脉冲） *
    −10
    10毫秒*
    −3
    −1
    −0.3
    −0.1
    −0.03
    −0.01
    1毫秒*
    漏电流
    I
    D
    (A)
    *:
    单一不重复的脉冲
    Ta
    =
    25°C
    −0.003
    曲线必须降低
    线性地增加
    温度
    −0.001
    −0.01 −0.03 −0.1 −0.3
    −1
    VDSS最大
    −3
    −10
    −30
    −100
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    6
    2004-07-06

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