TPC8111 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPC8111
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内容描述：	东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 401 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

TPC8111

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ）

TPC8111

锂离子电池应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

•

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 8.1毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 23 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

−10

μA （最大值）（V

−30

增强型： V

−0.8

−2.0

V (V

−10

V，I

−1

毫安）

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

−30

±20

−11

−44

1.9

1.0

31.5

−11

0.19

150

−55

150

单位

脉冲（注1 ）

JEDEC

°C

―

2-6J1B

漏极功耗（T

10 s)

（注2A ）

漏极功耗（T

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

JEITA

东芝

重0.080克（典型值）。

电路CON组fi guration

注：对于（注1 ）（注2 ）（注3）和（注4 ），请参阅

下页。

此晶体管是静电敏感器件。请处理好与

慎用。

2002-03-25

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