TPC8111 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPC8111
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 401 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

TPC8111

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= −5.5

OUT

2.7

Ω

4.7

Ω

= −10

V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

= −30

V, V

0 V

= −10

毫安，V

0 V

= −10

毫安，V

20 V

= −10

V，I

= −1

= −4

V，I

= −5.5

= −10

V，I

= −5.5

= −10

V，I

= −5.5

民



−30

−15

−0.8



∼ −24

V, V

10 V,

−

= −11



典型值。



8.1

5710

560

590

109

396

107

最大

±10

−10



−2.0



单位

µA

mΩ

−10

∼ −15

−

税

＆ LT ;

1%, t

µs

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件



= −11

A，V

0 V

民



典型值。



最大

−44

1.2

单位

2002-03-25

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案