TPC8203 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TPC8203
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内容描述：	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSII ） [TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 420 K
品牌：	TOSHIBA [ TOSHIBA SEMICONDUCTOR ]

TPC8203

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

≈

24 V, V

= 10 V，I

= 6 A

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 30 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 mA时， V

−20

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 V，I

= 3 A

= 10 V，I

= 3 A

= 10 V，I

= 3 A

民

—

0.8

—

典型值。

—

1700

260

380

最大

±10

—

2.5

—

mΩ

单位

µA

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

120

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

= 6 A，V

= 0 V

测试条件

—

民

—

典型值。

—

最大

−1.2

单位

正向电压（二极管）

2002-05-17

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