TSM917
电气特性
V
CC
= +5V, V
EE
= 0V, V
IN +
= V
REF
, T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.
见注1 。
参数
电源电压范围
电源电流
IN +电压范围
输入失调电压
输入参考滞后
输入偏置电流
电源抑制比
输出电压摆幅高
符号
V
CC
I
CC
V
IN +
V
OS
V
HB
I
B
PSRR
V
CC
- V
OH
条件
从推断
PSRR测试
V
CC
= 1.6V
民
T
A
= +25°C
1.8
0.75
0.80
V
EE
- 0.2
1
4
0.15
0.1
190
55
190
55
95
8
98
10
17
22
30
95
6
4
1.2
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
BW = 10Hz至100kHz
BW = 10Hz至100kHz ，C
REF
= 1nF的
V
CC
= 1.8V至5.5V
1.227
1.200
1.245
95
600
215
0.1
±0.2
1.263
1.290
典型值
最大
5.5
1.30
1.60
V
CC
+ 0.2
5
10
1
2
1
400
500
200
300
400
500
200
300
单位
V
μA
V
mV
mV
nA
mV / V的
mV
输出电压摆动低点
V
OL
输出短路电流
高到低传输延迟
（注4 ）
低到高传输延迟
（注4 ）
上升时间
下降时间
开机时间
参考电压
参考电压
温度COEF网络cient
参考输出电压
噪音
参考线路调整
参考负载调节
I
SC
t
PD
-
t
PD +
t
上升
t
秋天
t
ON
V
REF
TCV
REF
e
n
∆V
REF
/
∆V
CC
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
V
CC
= 5V
T
A
= T
民
给T
最大
从输出摆幅测试推断
T
A
= +25°C
（注2 ）
T
A
= T
民
给T
最大
（注3）
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
CC
= 1.8V至5.5V
T
A
= +25°C
V
CC
= 5V,
I
来源
= 8毫安
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
V
CC
= 1.8V,
I
来源
= 1毫安
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
V
CC
= 5V ，我
SINK
= 8毫安
T
A
= T
民
给T
最大
T
A
= +25°C
V
CC
= 1.8V,
I
SINK
= 1毫安
T
A
= T
民
给T
最大
V
CC
= 5V
采购，V
O
= V
EE
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 5V
下沉，V
O
= V
CC
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 5V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 5V
C
L
= 15pF的
C
L
= 15pF的
mV
mA
µs
µs
µs
µs
ms
V
PPM /°C的
µV
RMS
mV / V的
毫伏/ NA
∆V
REF
/
∆I
OUT
∆I
OUT
= 10nA的
注1 ：
所有规格都100 ％在T测试
A
= + 25°C 。在温度规范限制（T
A
= T
民
给T
最大
）被担保
设计，不是生产测试。
注2 ：
V
OS
被定义为滞环带的在输入端的中心。
注3 ：
迟滞相关的跳变点是由滞环带的边缘限定，测量相对于所述中心
滞环带（即，V
OS
）（参见图2） 。
注4 ：
指定的输入过驱动（V
OVERDRIVE
）为100mV ，和C的负载电容的
L
= 15pF的。 V
OVERDRIVE
上面定义和
超出了比较器的输入的偏置电压和迟滞。为TSM917 ，参考电压误差也应
补充说。
TSM917DS r1p0
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RTFDS
TOUCHSTONE [ TOUCHSTONE SEMICONDUCTOR INC ]
