欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

TSM917EUK+T 参数 Datasheet PDF下载

TSM917EUK+T图片预览
型号: TSM917EUK+T
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1.8V纳安级功耗比较器,内置1.245V参考 [1.8V Nanopower Comparator with Internal 1.245V Reference]
分类和应用: 比较器
文件页数/大小: 14 页 / 680 K
品牌: TOUCHSTONE [ TOUCHSTONE SEMICONDUCTOR INC ]
 浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号TSM917EUK+T的Datasheet PDF文件第11页  
TSM917
典型性能特性
V
CC
= +5V; V
EE
= 0V ; ç
L
= 15pF的; V
OVERDRIVE
= 100mV的;牛逼
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
传播延迟(T
PD +
)对容性负载
120
V
CC
=+5V
100
V
CC
=+3V
80
t
PD +
- µs
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
容性负载 -
nF
t
PD-
- µs
V
CC
=+1.8V
传播延迟(T
PD-
) VS输入OVERDRIVE
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
40
50
输入过驱 -
mV
传播延迟(T
PD-
)在V
CC
= +5V
V
CC
=+5V
V
CC
=+3V
V
CC
=+1.8V
传播延迟(T
PD +
) VS输入OVERDRIVE
120
100
V
CC
=+5V
80
t
PD +
- µs
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
输入过驱 -
mV
V
CC
=+1.8V
V
CC
=+3V
产量
输入
20µs/DIV
传播延迟(T
PD +
)在V
CC
= +5V
传播延迟(T
PD-
)在V
CC
= +3V
产量
输入
20µs/DIV
产量
输入
20µs/DIV
TSM917DS r1p0
第7页
RTFDS