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TC1201 参数 Datasheet PDF下载

TC1201图片预览
型号: TC1201
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内容描述: 低噪声和中等功率GaAs场效应管 [Low Noise and Medium Power GaAs FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 251 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC1201  
REV5_20070502  
CHIP DIMENSIONS  
430 12  
D
D
250 12  
S
S
S
G
G
Units: Micrometers  
Chip Thickness: 100  
Gate Pad: 55 x 50  
Drain Pad: 55 x 50  
Source Pad: 55 x 65  
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA=25 °C) VDS = 4 V, IDS = 25 mA  
0
.
1
0
9
Mag Max  
0.15  
Swp Max  
18 GHz  
8
Swp Max  
18GHz  
5
7
.
1
0
6
0
6
0
.
0
0
1
5
.
2
2
5
4
0
4
.
1
3
5
0
.
0
3
S11  
0
3
0
.
4
1
0
.
5
0
2
.
5
0
5
1
0
.
0
1
1
6
0
.
0
1
5
2
4
6
8
0
.
1
0
0
.
3
0 0  
. .  
4 5  
.
.
.
.
.
0
0
0
0
0
0
2
-180  
0
.
0
1
-
-
1
5
5
6
1
-
2
.
0
0
.
-
5
-
S12  
0
-
3
.
4
0
-
0
5
0
1
.
-
4
3
-
.
-
4
0
5
5
-
0
3
1
.
6
-
-
2
.
6
0
0
-
0
8
2
-
7
5
0
.
1
-
-
-
.
1
5
Swp Min  
2GHz  
0.075  
Per Div  
Swp Min  
2 GHz  
-
0
-
0
9
0
1
-
TRANSCOM, INC., 90 Dasoong 7th Road, Tainan Science-Based Industrial Park, Hsin-She Shiang, Tainan County, Taiwan, R.O.C.  
Web-Site: www.transcominc.com.tw  
Phone: 886-6-5050086  
2 / 6  
Fax: 886-6-5051602