TC3957
REV2_20080516
1W包装单偏置的GaAs PHEMT功率场效应
特点
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在6GHz的1W的典型输出功率
10分贝典型的线性功率增益为6GHz的
高线性度： IP3 = 40 dBm的典型，在6GHz的
高功率附加效率：
35％的标称PAE在6GHz的
击穿电压： BV
DGO
≥
15V
LG = 0.35
µm,
WG = 2.4毫米
100％的直流测试
适用于高可靠性的应用
失去了低成本陶瓷包装
PHOTO扩建
描述
该TC3957是一个自偏压铜基陶瓷封装的器件具有TC1501N PHEMT的砷化镓场效应晶体管，其被设计
提供单电源供电的应用。 Cu基陶瓷封装提供优异的热
电导率为砷化镓场效应管。该设备只需要提供正电压到漏极和地的源，
其适合于振子，在一个宽范围的商业应用的功率放大器应用。所有器件都
100％的直流测试，以保证稳定的质量。
电气规格（T
A
=25[)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DS
BV
DGO
R
th
条件
民
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V
29
线性功率增益，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6GHz的V
DS
= 8 V ， * P
SCL
= 17 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 6GHz的
漏源电流在V
DS
= 8 V
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 1.2毫安
15
热阻
典型值
30
10
40
35
300
18
16
最大单位
DBM
dB
DBM
%
mA
伏
° C / W
注： * P
SCL
：单载波电平的输出功率。
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th
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