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TC3957 参数 Datasheet PDF下载

TC3957图片预览
型号: TC3957
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内容描述: 1W包装单偏置的GaAs PHEMT功率场效应 [1W Packaged Single-Bias PHEMT GaAs Power FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 193 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
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TC3957
REV2_20080516
绝对最大额定值(T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
符号
V
DS
参数
漏源电压
RF输入功率, CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
12 V
26 dBm的
3W
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
建议报告工作条件
参数
漏源极电压
等级
8V
操作注意事项:
用户必须操作在一个干净,干燥的环境中。
静电放电( ESD )预防措施
在存储的所有阶段被观察,处理
装配和测试。静电放电必须是
比300V少。
典型的散射参数(T
A
=25[)
功率偏差: V
DS
= 8 V
1.0
6
0.
2.
0
60
SWP最大
9GHz
0
3.
0
4.
0
5.
MAG最大
0.3
5
13
SWP最大
9 GHz的
45
0.8
90
75
105
0
12
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.6
.0
-2
-1
35
.4
-0
-0.8
-1.0
-1
20
SWP敏
2GHz
-105
6
0.
60
45
2.
0
MAG最大
8
5
13
15
0
SWP最大
9 GHz的
0.
4
1.0
90
0.8
75
15
165
0
-180
-165
50
-1
-3
0
S21
5
-4
0
-6
-1
20
-1
35
-0
.6
-105
-0.8
-1.0
.0
-2
.4
-0
2
每格
SWP敏
2 GHz的
SWP敏
2GHz
频率
(千兆赫)
S11
MAG
MAG
S21
MAG
S12
MAG
2
³
3
³
4
³
5
³
6
³
7
³
8
³
9
³
0.8771
³
-169.70
³
0.8138
³
161.54
³
0.7667
³
139.73
³
0.7226
³
119.09
³
0.6779
³
97.92
³
0.6332
³
73.98
³
0.5922
³
45.49
³
0.5628
³
9.60
³
4.7327
³
3.3265
³
2.6305
³
2.2550
³
2.0514
³
1.9521
³
1.9171
³
1.9021
³
63.74
³
32.43
³
5.72
³
-19.69
³
-45.40
³
-73.02
³
-103.41
³
-136.54
³
0.0502
³
0.0506
³
0.0619
³
0.0769
³
0.0979
³
0.1221
³
0.1545
³
0.1909
³
-12.55
³
-11.65
³
-14.13
³
-23.02
³
-36.57
³
-54.71
³
-78.11
³
-105.36
³
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县台湾, ROC
网站: www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
P2/3
-3
.0
-4
-5.
.0
0
2
-0.
S22
-10.0
-15
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.2
-3
.0
-4
-5.
.0
0
2
-0.
-10.0
0.
4
15
0
S12
30
0.2
10.0
15
165
0
-180
S11
-15
-165
50
-1
-3
0
5
-4
0
-6
-75
0.075
每格
SWP敏
2 GHz的
-90
SWP最大
9GHz
0
3.
0
4.
0
5.
10.0
105
0
12
30
-75
-90
S22
0.3727
³
-162.37
³
0.3511
³
-177.70
³
0.3464
³
172.54
³
0.3433
³
163.24
³
0.3409
³
153.98
³
0.3298
³
142.20
³
0.3119
³
126.20
³
0.2676
³
102.60
³