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AGR09130E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR09130E
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内容描述: 130 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET [130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET]
分类和应用: 电子
文件页数/大小: 10 页 / 441 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR09130E
130 W, 921兆赫, 960兆赫, N沟道电子模式,横向MOSFET
典型性能特性
(续)
19
18
P
G
920兆赫
100
90
80
70
60
50
940兆赫
920兆赫
40
30
20
0
50
100
150
10
200
功率增益(P
G
) (分贝)z
17
16
15
14
13
12
11
10
960兆赫
940兆赫
EFF
960兆赫
功率输出(P
OUT
) (W )z
V
DD
= 26 V
DC
, I
DQ
= 1.0 A,T
F
= 30 ° C, FORMAT = CW 。
图6.功率增益和漏极效率与电源输出
0
-10
调制频谱
( DBC) ž
40
EFF
功率增益(分贝)和漏
效率(% )z
35
30
25
P
G
20
15
+/- 400千赫
+/- 600千赫
10
5
955
0
960
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
920
925
930
935
940
945
950
频率(MHz )z
V
DD
= 26 V,I
DQ
= 1.0 ,P
O
= 50 W,T
F
= 30 ° C, EDGE FORMAT = 3GPP GSM 05.05 。
图7. ACP ,功率增益和效率与频率的关系
漏极效率( EFF ) ( % )
Z