复制草案只
AGR09130E
130 W， 921兆赫， 960兆赫， N沟道电子模式，横向MOSFET
典型性能特性
0.11
0.12
0.38
0.13
0.37
0.14
0.36
0.1
50
45
0.0
9
0.4
110
0.39
100
0.9
90
1.0
0.15
0.35
80
0.6
60
0.4
0
12
0.7
2
07
0.
5
65
0.
43
0.
0
13
70
0.0
5
0.4
5
75
EN
T
(+
j
X/
Z
,O
o)
R
T
CI
PA
CA
0.
IV
0.
44
06
A
PT
CE
US
ES
E
(+
NC
JB /
哟）
0.2
14
0.4
0
0.0
Ð
＆ GT ;
W
A
V
EL
E
N
GTH
S
拖车
A
RD
0.0
0.49
根
L
OA
D
＆ LT ;
Ð
W
A
RD
ERA
O
0.48
7
±
180
HST
TO
170
70
N
GT
RÐ
-1
EL
E
V
0.4
＆ GT ;
7
WA
0.0
160
160
4
-90
90
-
0.4
85
-85
6
0
CE
CO
M
15
PO
N
0.6
80
0.8
RE
AC
TA
N
U
CT
香港专业教育学院
f3
f1
0.6
0
1.
0
1.
Z
L
0.4
IN
D
0.1
0.9
1.0
1.2
0.2
0.5
0.6
0.7
0.8
1.4
1.8
0.3
0.4
Z
0
= 5
Ω
电阻元件（ R /莫宁） ，或电导成分（G /呦）
0.2
0.49
0.1
f3
o)
JB /
Y
E
(-
NC
0.4
0.48
Z
S
f1
0.6
0.
8
1.
0
0.2
兆赫（ F）
920 (f1)
940
960 (f3)
Z
L
Ω
Z
S
Ω
（复
源阻抗）
（复
最佳负载阻抗）
0.9 + j0.96
0.55
–
j1.06
0.89 + j1.09
0.55
–
j0.77
0.84 + j1.35
0.58
–
j0.66
门（2）
Z
S
漏（1）
Z
L
SOURCE （ 3 ）
输入匹配
TA
DUT
输出匹配
图3.系列等效输入和输出阻抗
1.6
2.0
1.4
0
.8
8
0.0
0.8
1.2
55
1
0.4
40
70
35
0.2
0.
4
0.3
0.2
0.1
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
