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AGR18045E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR18045E
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内容描述: 45 W, 1.805 GHz的- 1.880 GHz的, LDMOS RF功率晶体管 [45 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 407 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR18045E
45 W, 1.805 GHz的- 1.880 GHz的, LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
(续)
16.0
15.5
15.0
14.5
14.0
G
PS
(分贝)z
13.5
13.0
12.5
12.0
11.5
11.0
1750
1770
1790
1810
1830
1850
1870
1890
1910
1930
IRL
G
PS
0
-2
-4
-6
IRL (分贝)z
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
1950
TEST
条件。
条件:
V
DD
= 26 V,I
DQ
= 400毫安, P
IN
= 25 dBm时, CW测量。
频率(MHz )z
图6.宽带增益和回波损耗
16.0
15.5
15.0
14.5
G
PS
(分贝)z
14.0
13.5
13.0
12.5
12.0
I
DQ
= 325毫安
I
DQ
= 550毫安
I
DQ
= 475毫安
I
DQ
= 400毫安
I
DQ
= 250毫安
0.1
1.0
P
OUT
(W) (PEP )z
10.0
100.0
TEST
条件。
条件:
V
DD
= 26 V , FC = 1842.5兆赫, TWO- TONE测量, 100 kHz间隔。
图7.双音功率增益与输出功率