先期产品信息
2005年9月19日
表一
最大额定值
符号
V
+
V
-
I
+
| I
G
|
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
TGF2021-12
价值
12.5 V
-5V至0V
5.6 A
70毫安
36 dBm的
见注3
150
°C
320
°C
-65到150
°C
2/
2/ 3/
4/
2/
参数1 /
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流
门电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
笔记
2/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
电源电压，电源电流，输入功率和输出功率应的组合
不超过P
D
.
为1E + 6小时的中值寿命，功耗限制为：
P
D
（最大值）=（ 150
°C
- TBASE
°C)
/ 8.3 （ ° C / W）
结工作温度将直接影响到设备中位无故障时间
(T
M
） 。为了获得最大的寿命，所以建议的结温保持
在尽可能低的水平。
4/
表二
DC传感器特性
(T
A
= 25
QC ，
标称）
符号
IDSS
Gm
V
P
V
BGS
V
BGD
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压
栅极 - 源
击穿电压
栅极 - 漏极
最低
-
-
-1.5
-30
-30
典型
3600
4500
-1
-
-
最大
-
-
-0.5
-14
-14
单位
mA
mS
V
V
V
注意：对于TriQuint公司的0.35微米功率pHEMT器件，射频击穿>>直流击穿
2
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
